BSS52 TO-39封裝NPN達(dá)林頓晶體管Solitron Devices
發(fā)布時(shí)間:2025-10-14 08:59:41 瀏覽:141
Solitron Devices BSS52是一款 NPN 達(dá)林頓晶體管,專為工業(yè)高增益放大器設(shè)計(jì),具有高電流、低電壓特性,并集成二極管和電阻。它是飛利浦(Philips)的第二來源產(chǎn)品,采用 TO-39 金屬封裝,適用于嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境。

關(guān)鍵特性
高電流能力:連續(xù)集電極電流 1A,峰值可達(dá) 2A。
高電壓耐受:
集電極-發(fā)射極電壓(VCES)80V
集電極-基極電壓(VCBO)90V
集成保護(hù):內(nèi)置二極管和電阻,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
高直流增益(hFE):
典型值 1000~2000(VCE=10V, IC=150mA~500mA)。
熱穩(wěn)定性:
結(jié)溫(Tj)范圍 -65°C 至 +200°C。
熱阻:結(jié)到環(huán)境(Rth j-a)220K/W,結(jié)到外殼(Rth j-c)35K/W。
極限參數(shù)
集電極-基極電壓(VCBO):90V
集電極-發(fā)射極電壓(VCES):80V
發(fā)射極-基極電壓(VEBO):5V
集電極電流(IC):1A(連續(xù)), 2A(峰值)
功耗(Ptot):0.8W(環(huán)境25°C) / 5.0W(外殼25°C)
電氣特性(Typical @25°C)
飽和壓降:
VCE(sat): 1.3V(IC=500mA, IB=0.5mA)
VBE(sat): 1.65V(IC=500mA)
開關(guān)性能:
開啟時(shí)間(ton): 1μs(IC=500mA)
關(guān)斷時(shí)間(toff): 5μs(IC=1A)
截止電流:
集電極漏電流(ICES): 50nA(VCE=80V)
封裝尺寸:TO-39封裝,直徑12.7~14.2mm,高度 6.22~6.60mm。
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