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Solitron Devices 2N2880軍標級NPN功率晶體管

發(fā)布時間：2025-02-25 09:17:16 瀏覽：1306

　　2N2880是一款由Solitron Devices公司生產的NPN型功率晶體管，采用TO-59封裝形式。它具有低導通電阻、低飽和電壓、低漏電流和低驅動需求等特點，廣泛應用于高壓逆變器、轉換器、開關穩(wěn)壓器和線路驅動放大器等設備中。

Solitron Devices 2N2880軍標級NPN功率晶體管

　　2. 主要特性

　　符合軍用標準：符合MIL-PRF-19500/315標準，適用于高可靠性應用。

　　低導通電阻：降低功率損耗，提高效率。

　　低飽和電壓：在高電流下保持低電壓降。

　　高頻率響應與快速切換：適用于高頻開關應用。

　　高電流增益：提供穩(wěn)定的電流放大能力。

　　安全工作區(qū)域：在高電壓和高電流條件下保持穩(wěn)定運行。

　　高頻應用：適用于開關電源和高頻逆變器。

　　3. 電氣參數(shù)

參數(shù)	符號	最小值	最大值	單位
集電極-發(fā)射極擊穿電壓	V(BR)CEO	-	80	Vdc
集電極-基極擊穿電壓	V(BR)CBO	-	110	Vdc
發(fā)射極-基極擊穿電壓	V(BR)EBO	-	8	Vdc
集電極-發(fā)射極截止電流	ICEO	-	20	μA
發(fā)射極-基極截止電流	IEBO	-	0.2	μA
正向電流傳輸比	hFE	40	120	-
集電極-發(fā)射極飽和電壓	VCE(sat)	0.25	1.5	Vdc
基極-發(fā)射極飽和電壓	VBE(sat)	-	1.2	Vdc
熱阻	RθJC	-	3.33	°C/W
輸出電容	Cobo	-	150	pF
脈沖上升時間	tr	-	300	ns
脈沖下降時間	tf	-	300	ns

　　4. 封裝與尺寸

　　封裝類型：TO-59

　　尺寸：2.29 mm*8.08 mm*11.10 mm(長*寬*高)

　　5. 應用領域

　　2N2880適用于以下領域：

　　高壓逆變器：用于高效能量轉換。

　　開關電源：提供快速切換能力。

　　高頻轉換器：適用于高頻電路設計。

　　線路驅動放大器：用于高電壓放大應用。

　　6. 訂購信息

　　2N2880提供多種訂購選項，包括：

　　JAN2N2880

　　JANTX2N2880

　　JANTXV2N2880

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