Linear Systems 3N163/3N164 P溝道MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2024-07-23 09:02:08 瀏覽:2866
3N163和3N164是Linear Systems增強(qiáng)型P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),以其非常高的輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、快速切換和低電容特性而著稱。這些特性使得它們?cè)陔娮与娐分蟹浅J軞g迎。

特點(diǎn)
非常高的輸入阻抗
高柵極擊穿電壓
超低漏電流
快速切換
低電容
最大額定值
封裝:提供了TO-72和SOT-143兩種封裝形式
規(guī)格參數(shù):
| ELECTRICAL CHARACTERISTICs @25℃ (unless otherwise noted) | |||||||
| SYMBOL | CHARACTERISTIC | 3N163 | 3N164 | UNITS | CONDITIONS | ||
| Gate Leakage Current | MIN | MAX | MIN | MAX | pA | VGs=-40V,Vos=0(3N163),Vso=0V | |
| Gss | -10 | -10 | |||||
| TA=+125℃ | 25 | -25 | Vgs=-30V,Vos=0(3N164),Vsa=0V | ||||
| BVpss | Drain-Source Breakdown Voltage | 40 | 30 | lo=-10μA Vgs=0,Vas=0 | |||
| BVsps | Souce-Drain Breakdown Voltage | 40 | 30 | V | ls=-10μA Vgo=0,Vep=0 | ||
| VGsm | Threshold Voitage | -2.0 | -5.0 | -2.0 | -5.0 | Vos=VGs lo=-10μA,Vss=0V | |
| VGs | Gate Source Voltage (on) | -3.0 | -6.5 | -3.0 | -6.5 | Vos=-15V lo=-0.5mA,Vsa=0V | |
| loss | Zero Gate Voltage,Drain Current (off) | -200 | -400 | pA | Vos=-15V Vgs=0,Vsa=0V | ||
| lsDs | Zero Gate Voltage,Source Current | -400 | 800 | Vso=-15V Vgs=0,VoB=0V | |||
| Rpsion | Drain-Source on Resistance | 250 | 300 | ohms | Vgs=-20V lo=-100μA,Vsg=0V | ||
| lptom | On Drain Current | -5.0 | 30 | -3.0 | 30 | mA | Vos=-15V VGs=-10V,Vse=0V |
| gis | ForwardTransconductance | 2.0 | 4.0 | 1.0 | 4.0 | mS | Vos=-15V lo=-10mA f=1kHz |
| 9og | Output Admittance | 250 | 250 | μS | |||
| Cs | Input Capacitance-Output Shorted | 3.5 | 3.5 | pF | Vos=-15V lo=-10mA1f=1MHz | ||
| Css | Reverse Transfer Capacitance | 0.7 | 0.7 | ||||
| Coss | Output Capacitance Input Shorted | 3.0 | 3.0 | ||||
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