DEI總線映射 IC 簡(jiǎn)化了照明總線接口
發(fā)布時(shí)間:2021-07-07 16:59:24 瀏覽:3461
DEI 1030的設(shè)計(jì)目的是改善單位之間的照明總線監(jiān)測(cè)??偩€電壓轉(zhuǎn)換成為0-5vdc數(shù)據(jù)信號(hào)電平輸出,可用作操縱白熾燈的仿真模擬驅(qū)動(dòng)器或輸入微處理器實(shí)現(xiàn)脈沖寬度調(diào)制?;蛱峁┎倏v輸入到DEI1090LED驅(qū)動(dòng)器,用LED仿真模擬白熾燈。每個(gè)總線電壓也無需不一樣的總線接口專用設(shè)備。消除了不一樣總線接口專用設(shè)備對(duì)每個(gè)總線電壓的規(guī)定要求。
DEI總線電壓由兩個(gè)開路/接地離散輸入挑選,容許自動(dòng)裝置適應(yīng)環(huán)境系統(tǒng)總線電流電壓。照明母線投射電源電路、公共端子和增益挑選輸入對(duì)DO-160C/DA3類(波形3,4和5)。

特性
縮減零部件數(shù)量;
真實(shí)性RMS轉(zhuǎn)換;
小規(guī)格尺寸(8L-SOIC-NB);
線束可編程控制器;
縮減多總線接口;
過溫保護(hù)穩(wěn)定性;
do160C/DA3防雷;
適用于5VAC、5VDC、14VDC和28VDC總線;
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部分 # | 溫度范圍 | 產(chǎn)品包裝類型 |
DEI1030-G | -55 到 85 | 8 SOIC NB G |
推薦資訊
2N4856/2N4857/2N4858為低電阻、快速切換、高關(guān)斷隔離的N溝道JFET晶體管,符合MIL-PRF-19500/385標(biāo)準(zhǔn)。具有輻射耐受性,是Vishay和Siliconix的二次來源,特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、快速切換、高關(guān)斷隔離等。產(chǎn)品符合JAN/JANTX/JANTXV標(biāo)準(zhǔn),提供S級(jí)等效篩選選項(xiàng)。
隨著自動(dòng)化制造、電動(dòng)汽車、先進(jìn)建筑系統(tǒng)和智能家電等行業(yè)的發(fā)展,對(duì)提高這些機(jī)電設(shè)備的控制、效率和功能的需求也在增長。本文探討了碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)的突破如何重新定義了歷來使用硅IGBT(Si IGBT)進(jìn)行功率逆變的電動(dòng)機(jī)的能力。這項(xiàng)創(chuàng)新擴(kuò)展了幾乎每個(gè)行業(yè)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的能力。
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